ДОЗИРОВАННЫЕ ГРАНУЛЫ ВАКУУМПЛАВЛЕННОЙ МЕДИ, алюминия, никеля, кремния и другие для распыления в вакууме. Высокочистые металлы для молекулярно- пучковой эпитаксии.
Cu
Дозированные гранулы вакуумплавленной меди изготовляются согласно бКО 028.007 ТУ или ТУ 11-74 БК0.028.007
Номинал массы гранулы 0,4г., диаметр гранулы 3мм.
Чистота материала 99,99%.
Фасовка в индивидуальные полиэтиленовые пакеты по 0,1кг.
Каждая партия гранул сопровождается сертификатом качества на примесный состав и содержание инертных газов, паспортом на продукцию. Минимальная партия отгрузки 0,1кг. Дозированные гранулы вакуумплавленной меди предназначены для вакуумного термического испарения используются в микроэлектронике, радио- и приборостроение, атомной энергетике, ювелирной промышленности.
Al
Дозированные гранулы алюминия изготовляются согласно ЕТО 021.051 ТУ. Номинал массы гранулы 0,4г., диаметр гранулы 5мм.
Чистота материала 99,99%.
Фасовка в индивидуальные полиэтиленовые пакеты по 0,5кг.
Каждая партия гранул сопровождается сертификатом качества на примесный состав и содержание инертных газов, паспортом на продукцию. Минимальная партия отгрузки 0,1кг.
|
Вольфрам W3N5 |
|
Вольфрам повышенной чистоты, марка W3N5, химическая чистота W=99,95%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
 |
|
Алюминий A4N+ |
|
Алюминий высокой чистоты, марка А4N+, химическая чистота Al=99,99+%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
 |
|
Алюминий A5N |
|
Алюминий особой чистоты , марка А5N, химическая чистота Al=99,999%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
|
|
Вольфрам W4N |
|
Вольфрам высокой чистоты, марка W4N, химическая чистота W=99,99%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
|
|
Железо Fe3N |
|
Железо повышенной чистоты, марка Fe3N, химическая чистота Fe=99,9%. Применяется для химического синтеза и лабораторных исследований.
 |
|
Индий In5N-7N |
|
Индий особой чистоты (ОСЧ), марка In5N-7N, химическая чистота In=99,999-99,99999%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
 |
|
Кадмий Cd6N |
|
Кадмий высокой чистоты, марка Cd6N, химическая чистота Cd=99,9999%. Применяется , как компонент твёрдых припоев (сплавов на основе серебра, меди, цинка) для снижения их температуры плавления. |
|
Кобальт Co4N |
|
Кобальт высокой чистоты, марка Co4N, химическая чистота Co=99,99%. Применение кобальта, кобальтовые красители, легирующие добавки к сталям. При этом повышается жаропрочность стали, улучшаются ее механические свойства.
 |
|
Магний Mg4N5 |
|
Магний высокой чистоты, марка Mg 4N5, химическая чистота Mg=99,995%. Применяется для легирования сплавов на основе Аl, металлотермического получения металлов (Ti, U, Zr, V и др.), для раскисления и десульфурации ряда металлов.
 |
|
Медь Cu 4N+ |
|
Медь бескислородная, марка Cu 4N, химическая чистота Cu=99,99+%.Применение: микроэлектроника, радио- и приборостроение, атомная энергетика, авиация и космос, ювелирная промышленность, аноды в электрохимии и т.д.
 |
|
Медь Cu 5N |
|
Медь вакуумплавленная, марка Cu 5N, химическая чистота Cu=99,999%. Применение: микроэлектроника, радио- и приборостроение, атомная энергетика, авиация и космос, ювелирная промышленность, аноды в электрохимии и т.д.
|
|
Никель Ni3N5 |
|
Никель повышенной чистоты, марка Ni 3N5, химическая чистота Ni =99,95%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии, электрохимии и химического синтеза.
 |
|
Никель Ni4N |
|
Никель высокой чистоты, марка Ni 4N, химическая чистота Ni =99,99%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии, электрохимии и химического синтеза.
|
|
Ниобий Nb4N |
|
Ниобий высокой чистоты, марка Nb 4N, химическая чистота Nb =99,99%. Применения: авиационная техника, электроника, химическое аппаратостроение, сверхпроводящие и др. сплавы. Обрабатываемость давлением на холоду и свариваемость.
|
|
Олово Sn5N |
|
Олово высокой чистоты , марка Sn 5N, химическая чистота Sn =99,999%. Применения: радиотехника, электроника, электрохимия, сверхпроводящие и др. сплавы.  |
|
Свинец Pb4N |
|
Свинец повышенной чистоты, марка Pb 4N, химическая чистота Pb =99,99%. Применения: радиотехника, электроника, электрохимия, сверхпроводящие и др. сплавы, чернение.
 |
|
Кремний Si5N-6N |
|
Кремний повышенной чистоты, марка Si 5N-6N, химическая чистота Si=99,999+%. Применения: радиотехника, электроника, электрохимия, сверхпроводящие и др. сплавы.
 |
|
Титан Ti3N |
|
Титан повышенной чистоты, марка Ti 3N, химическая чистота Ti =99,9%. Применяется в химической промышленности (реакторы, трубопроводы, насосы), лёгких сплавах,в авиа-, ракето-, кораблестроении. Электроника, химическое аппаратостроение.
 |
|
Титан Ti4N |
|
Титан высокой чистоты, марка Ti 4N, химическая чистота Ti =99,99%. Применяется в химической промышленности (реакторы, трубопроводы, насосы), лёгких сплавах,в авиа-, ракето-, кораблестроении. Электроника, химическое аппаратостроение.
|
|
Хром Cr3N - Cr4N |
|
Хром повышенной чистоты, марка Cr 2N - 3N, химическая чистота Cr =99,9%-99,99%. Применяется для легирования суперсплавов, производства конструкционных сплавов на основе хрома, получения порошка хрома, осаждения тонких пленок в вакууме.
|
|
Цинк Zn4N |
|
Цинк повышенной чистоты, марка Zn 4N, химическая чистота Zn =99,99%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
 |
|
Цирконий Zr2N-3N |
|
Цирконий повышенной чистоты, марка Zr 2N -3N, химическая чистота Zr =99,9%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
|
|
Германий Ge5N-6N |
|
Германий повышенной чистоты, химическая чистота Ge =99,999+%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
 |
|
Галлий Ga6N-8N |
|
Галлий повышенной чистоты, химическая чистота Ga =99,999+%. Специально для использования в качестве испаряемых источников для Молекулярно Пучковой Эпитаксии.
 |